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可控硅模塊屬于功率器件領域，是一種功率半導體開關元件，又叫做晶閘管，可控硅是簡稱。按其工作特性，可控硅可分為單向可控硅(SCR)和雙向可控硅(TRIAC)。可控硅也稱作晶閘管，它是由PNPN四層半導體構成的元件，有三個電極、陽極A、陰極K和控制極G。可控硅在電路中能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，并且不象繼電器那樣控制時有火花產生，且動作快、壽命長、可靠性好。在調速、調光、調壓、調溫以及其他各種控制電路中都有可控硅的身影。可控硅分為單向的和雙向的，符號也不同。單...

IGBT模塊散熱技術散熱的過程1IGBT在結上發生功率損耗;2結上的溫度傳導到IGBT模塊殼上;3IGBT模塊上的熱傳導散熱器上;4散熱器上的熱傳導到空氣中。散熱環節影響散熱程度影響因數解決辦法1總發熱功率zui主要因數運行電流電壓改變電壓電流開關頻率2結殼熱阻次要模塊工藝3殼到散熱器熱阻次要散熱器材料粘貼材料4散熱器到環境熱阻zui要散熱方式散熱材料散熱方式散熱材料如果IGBT模塊一定時，IGBT結殼之間的熱阻一定，IGBT殼與散熱器的熱阻與散熱器材料和接觸程度兩個方面有關...

晶閘管是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發出世界上*晶閘管產品，并于1958年使其商業化；晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示。晶閘管屬于硅元件，很多人也稱它為“可控硅”。硅元件的普遍特性是過載能力差，因此在使用過程...

研發進展IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導體場控自關斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體，具有輸進阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中獲得極廣泛的應用。與此同時，各大半導體生產廠商不斷開發IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可靠、低本錢技術，主要采用1um以下制作工藝，研制開發取得一些新進展。1、低功率IGBTIGBT應用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區域，為滿足家電行業的發...

富士功率模塊選型簡介一、PIM模塊為了降低變頻駱的成本，并減少變頻器的尺寸。寓士電機和歐派克采用PIM模塊結構。包括三相全波整流和6—7個IGBT。即變頻器的主回路全部安裝在一個模塊上，在小功率變頻器內（11KW以下）均用PIM模塊較為合算。富士電機現正常供貨的是S系列7個單元IGBT。在中國市場上己用了幾年時間。應用技術亦比較成熟。而U系列的PIM模塊供貨現尚在努力之中．現主要推出S系列五種型號——面向小功率變頻器。二、U系列IGBT模塊U系列為富士電機第五代IGBT模塊。...

IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、...